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晶振要配多大的電容比較合適?
1、-33pf都可以，一般用的是15P和30P，晶振大小影響不大，常用的4M和12M以及10592M和20M 24M都用的30P，單片機內(nèi)部有相應(yīng)的整形電路。
2、一般選擇晶振的電容值要比引腳雜散電容高8~10倍，來減少雜散電容影響。 一般IC引腳雜散電容2~3pF，所以應(yīng)該選擇16~30PF的電容比較合適。晶振大小其實影響不大。我們一般選擇27P電容。
3、K的晶振常規(guī)的負(fù)載電容是15PF的，也可以指定的。
4、正常情況下你的電容應(yīng)該配到20PF左右配晶振15PF ，但是因為像32。768K的產(chǎn)品生產(chǎn)廠家的標(biāo)準(zhǔn)基本上都是不一樣的，所以都會存在一定的偏差。另外說你的R52電阻的選擇，一般KHZ級的都是用1M，MHZ級別的用10M。
為什么晶振兩端要外接兩個電容呢
單片機晶振電路中接在晶振旁的兩個電容叫負(fù)載電容，它的作用是負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標(biāo)稱頻率相同的晶振，負(fù)載電容不一定相同。
單片機晶振電路中兩個電容（負(fù)載電容）的作用是把電能轉(zhuǎn)換成其他形式的能。如果沒這兩個電容的話，振蕩部分會因為沒有回路而停振。電路不能正常工作了。負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。
這兩個電容叫晶振的負(fù)載電容，分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容，一般在幾十皮發(fā)。它會影響到晶振的諧振頻率和輸出幅度，也是使振蕩頻率更穩(wěn)定。實際上就是電容三點式電路的分壓電容， 接地點就是分壓點。
兩個電容的取值都是相同的，或者說相差不大，如果相差太大，容易造成諧振的不平衡，容易造成停振或者干脆不起振 。晶振負(fù)載電容值指的是晶振的交流電路中參與振蕩與晶振串聯(lián)或者并聯(lián)的負(fù)載電容值。
晶振為什么要加電容
1、晶振旁邊接的兩個電容，作用是負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標(biāo)稱頻率相同的晶振，負(fù)載電容不一定相同。普通單片機的晶體振蕩器在并聯(lián)諧振狀態(tài)下工作，這也可以理解為諧振電容器的一部分。
2、單片機晶振電路中兩個電容（負(fù)載電容）的作用是把電能轉(zhuǎn)換成其他形式的能。如果沒這兩個電容的話，振蕩部分會因為沒有回路而停振。電路不能正常工作了。負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。
3、因為晶振在高頻工作時有寄生電感，為了平衡電感，起到諧振的作用。所以要用兩個小電容來平衡電感。一般電容的選20pf--30pf的就可以了。具體的大小請參看晶振廠家提供的數(shù)據(jù)手冊。
4、晶振旁邊的電容有協(xié)助起振與穩(wěn)定振蕩的作用。一般頻率高的會用較低的電容、頻率低的會用較高的電容。電容過大會使信號衰減、并因吸收能量過大而抑制振湯。
晶振中的負(fù)載電容起什么作用?
單片機晶振電路中接在晶振旁的兩個電容叫負(fù)載電容，它的作用是負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標(biāo)稱頻率相同的晶振，負(fù)載電容不一定相同。
單片機晶振電路中兩個電容（負(fù)載電容）的作用是把電能轉(zhuǎn)換成其他形式的能。如果沒這兩個電容的話，振蕩部分會因為沒有回路而停振。電路不能正常工作了。負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。
晶振負(fù)載電容值指的是晶振的交流電路中參與振蕩與晶振串聯(lián)或者并聯(lián)的負(fù)載電容值。晶振的電路頻率主要是有晶振自身決定，既然負(fù)載電容參與電路振蕩，肯定會對頻率多少起到微調(diào)作用。負(fù)載電容值越小，振蕩電路就會反而越高。
晶振怎么配電容呢
無源晶振的負(fù)載電容，其實也是匹配電容，所以，要根據(jù)晶振上給出的電容來匹配就可以了。一個12m晶振的負(fù)載電容為15pf，那么在匹配15pf的電容是，晶振輸出的才是12m。
大家在選擇負(fù)載電容時，可以按照電容的具體大小計算公式是(C1*C2)/(C1+C2)+24。這個計算公式只是一種方法知道電容的大小，但是最好按照晶振廠家所配對好的負(fù)載電容值，這樣會減少很多其他干擾。
M級的晶振，比如4MHz，10592MHz，往往是選擇49S封裝的，匹配電容選20pF的。具體還是看你們自己電路板上設(shè)計的電容之類的情況。
沒這么簡單。要考慮電路驅(qū)動能力、電路允許的頻率精度、布線的雜散電容、晶振規(guī)格等多種因素。
晶振只能選擇相同頻率的，沒有其他選擇，電容的大小對頻率只有微調(diào)作用，無法改變晶振頻率。
電容是根據(jù)晶振負(fù)載電容來確定的，比如晶振的負(fù)載是20PF，那么一般匹配電容是在33PF的。
晶振的負(fù)載電容有什么作用?
單片機晶振電路中接在晶振旁的兩個電容叫負(fù)載電容，它的作用是負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標(biāo)稱頻率相同的晶振，負(fù)載電容不一定相同。
單片機晶振電路中兩個電容（負(fù)載電容）的作用是把電能轉(zhuǎn)換成其他形式的能。如果沒這兩個電容的話，振蕩部分會因為沒有回路而停振。電路不能正常工作了。負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。
晶振負(fù)載電容值指的是晶振的交流電路中參與振蕩與晶振串聯(lián)或者并聯(lián)的負(fù)載電容值。晶振的電路頻率主要是有晶振自身決定，既然負(fù)載電容參與電路振蕩，肯定會對頻率多少起到微調(diào)作用。負(fù)載電容值越小，振蕩電路就會反而越高。
晶振旁邊接的兩個電容，作用是負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標(biāo)稱頻率相同的晶振，負(fù)載電容不一定相同。普通單片機的晶體振蕩器在并聯(lián)諧振狀態(tài)下工作，這也可以理解為諧振電容器的一部分。
你好，晶振旁邊的小電容的作用很明顯，當(dāng)電路剛剛上電的時候，晶體是不會震蕩，由于小電容的存在，晶體會慢慢震動，很快就到達規(guī)定的頻率，信號就輸入到單片機。小電容是輔助起震的作用。
到此，以上就是小編對于晶振在藍(lán)牙中的作用的問題就介紹到這了，希望介紹的幾點解答對大家有用，有任何問題和不懂的，歡迎各位老師在評論區(qū)討論，給我留言。
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