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晶振的負(fù)載電容越大驅(qū)動(dòng)能力越強(qiáng)
1、在使用時(shí)，陶瓷諧振槽路和相應(yīng)的負(fù)載電容必須根據(jù)特定的邏輯系列進(jìn)行優(yōu)化。具有高Q值的晶振對(duì)放大器的選擇并不敏感，但在過(guò)驅(qū)動(dòng)時(shí)很容易產(chǎn)生頻率漂移（甚至可能損壞）。
2、不同的晶體管的負(fù)載能力不同，應(yīng)該根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的晶體管，以支持更大的負(fù)載。增加負(fù)載電容。通過(guò)增加負(fù)載電容來(lái)提高振蕩器的帶載能力。但是，需要注意負(fù)載電容的范圍和穩(wěn)定性。加入電阻調(diào)節(jié)電路。
3、晶振的負(fù)載不能確認(rèn)的話(huà)，電容很難匹配，起振電容無(wú)法充電放電，晶振也就起振不了；當(dāng)分布電容與晶振電容值是相等時(shí)，就可以讓晶振發(fā)出諧振頻率了。電容大小能影響晶振頻率的穩(wěn)定度和相位，越小價(jià)格也會(huì)越高。
4、電容容量并不是越大越好。直觀(guān)上看，似乎儲(chǔ)能電容越大，為IC提供的電流補(bǔ)償?shù)哪芰υ綇?qiáng)。因此，許多人愛(ài)使用容量很大的電容。其實(shí)這是一個(gè)錯(cuò)誤的概念。
晶振旁的電容有什么作用
1、單片機(jī)晶振電路中兩個(gè)電容（負(fù)載電容）的作用是把電能轉(zhuǎn)換成其他形式的能。如果沒(méi)這兩個(gè)電容的話(huà)，振蕩部分會(huì)因?yàn)闆](méi)有回路而停振。電路不能正常工作了。負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。
2、單片機(jī)晶振電路中接在晶振旁的兩個(gè)電容叫負(fù)載電容，它的作用是負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標(biāo)稱(chēng)頻率相同的晶振，負(fù)載電容不一定相同。
3、負(fù)載電容 ，是用來(lái)糾正晶體的振蕩頻率用的；有人說(shuō)是啟振電容；有人說(shuō)起諧振作用的。泰河 電子劉工給大家分析：電容與內(nèi)部電路共同組成一定頻率的振蕩，這個(gè)電容是硬連接，固定頻率能力很強(qiáng)，其他頻率的干擾就很難進(jìn)來(lái)了。
4、晶振旁邊的電容有協(xié)助起振與穩(wěn)定振蕩的作用。一般頻率高的會(huì)用較低的電容、頻率低的會(huì)用較高的電容。電容過(guò)大會(huì)使信號(hào)衰減、并因吸收能量過(guò)大而抑制振湯。
5、負(fù)載電容。一般單片機(jī)的晶振工作于并聯(lián)諧振狀態(tài)，也可以理解為諧振電容的一部分。它是根據(jù)晶振廠(chǎng)家提供的晶振要求負(fù)載電容選值的，換句話(huà)說(shuō)，晶振的頻率就是在它提供的負(fù)載電容下測(cè)得的，能最大限度的保證頻率值的誤差。
晶振與電容
晶體振蕩器是指從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片，石英晶體諧振器，簡(jiǎn)稱(chēng)為石英晶體或晶體、晶振；而在封裝內(nèi)部添加IC組成振蕩電路的晶體元件稱(chēng)為晶體振蕩器。其產(chǎn)品一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。
晶振的負(fù)載電容越大，驅(qū)動(dòng)能力越強(qiáng)。晶振的負(fù)載電容對(duì)驅(qū)動(dòng)能力有一定的影響。一般來(lái)說(shuō)，晶振負(fù)載電容越大，晶體振子的輸出信號(hào)就越強(qiáng)，從而增加了驅(qū)動(dòng)電路的輸出能力。
單片機(jī)晶振電路中兩個(gè)電容（負(fù)載電容）的作用是把電能轉(zhuǎn)換成其他形式的能。如果沒(méi)這兩個(gè)電容的話(huà)，振蕩部分會(huì)因?yàn)闆](méi)有回路而停振。電路不能正常工作了。負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。
晶振為什么要加電容
1、單片機(jī)晶振電路中兩個(gè)電容（負(fù)載電容）的作用是把電能轉(zhuǎn)換成其他形式的能。如果沒(méi)這兩個(gè)電容的話(huà)，振蕩部分會(huì)因?yàn)闆](méi)有回路而停振。電路不能正常工作了。負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。
2、兩個(gè)電容的取值都是相同的，或者說(shuō)相差不大，如果相差太大，容易造成諧振的不平衡，容易造成停振或者干脆不起振 。晶振負(fù)載電容值指的是晶振的交流電路中參與振蕩與晶振串聯(lián)或者并聯(lián)的負(fù)載電容值。
3、晶振 電路其實(shí)是個(gè)電容 三點(diǎn)式振蕩電路 ，輸出是正玄波晶體等效于電感，加兩個(gè)槽路分壓電容，輸入端的電容越小，正反饋 量越大。
4、這兩個(gè)電容叫晶振的負(fù)載電容，分別接在晶振的兩個(gè)腳上和對(duì)地的電容，一般在幾十皮發(fā)。它會(huì)影響到晶振的諧振頻率和輸出幅度，也是使振蕩頻率更穩(wěn)定。實(shí)際上就是電容三點(diǎn)式電路的分壓電容， 接地點(diǎn)就是分壓點(diǎn)。
5、單片機(jī)晶振電路中接在晶振旁的兩個(gè)電容叫負(fù)載電容，它的作用是負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標(biāo)稱(chēng)頻率相同的晶振，負(fù)載電容不一定相同。
6、晶振的電路頻率主要是有晶振自身決定，既然負(fù)載電容參與電路振蕩，肯定會(huì)對(duì)頻率多少起到微調(diào)作用。負(fù)載電容值越小，振蕩電路就會(huì)反而越高。
到此，以上就是小編對(duì)于藍(lán)牙模塊加電容的問(wèn)題就介紹到這了，希望介紹的幾點(diǎn)解答對(duì)大家有用，有任何問(wèn)題和不懂的，歡迎各位老師在評(píng)論區(qū)討論，給我留言。
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