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如何確定晶振的負(fù)載電容
1、晶振的負(fù)載電容是產(chǎn)品手冊(cè)規(guī)定的，不需計(jì)算。通常低頻晶振為100pF，高頻晶振30pF，串聯(lián)諧振的晶振負(fù)載電容為無(wú)窮大（不用電容）。
2、+△C（PCB上電容）經(jīng)驗(yàn)值為3至5pf。因此，晶振的數(shù)據(jù)表中規(guī)定12pF的有效負(fù)載電容要求在每個(gè)引腳XIN與XOUT上具有22pF（2*12pF=24pF=22pF+2pF寄生電容）。兩邊電容為Cg，Cd，負(fù)載電容為Cl，cl=cg*cd/(cg+cd)+a。
3、用示波器測(cè)量，電容一般取20-30pf。晶體振蕩器是指從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片（簡(jiǎn)稱為晶片），石英晶體諧振器，簡(jiǎn)稱為石英晶體或晶體、晶振；而在封裝內(nèi)部添加IC組成振蕩電路的晶體元件稱為晶體振蕩器。
4、無(wú)源晶振的負(fù)載電容，其實(shí)也是匹配電容，所以，要根據(jù)晶振上給出的電容來(lái)匹配就可以了。一個(gè)12m晶振的負(fù)載電容為15pf，那么在匹配15pf的電容是，晶振輸出的才是12m。
晶振為什么要加電容
1、晶振旁邊接的兩個(gè)電容，作用是負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標(biāo)稱頻率相同的晶振，負(fù)載電容不一定相同。普通單片機(jī)的晶體振蕩器在并聯(lián)諧振狀態(tài)下工作，這也可以理解為諧振電容器的一部分。
2、單片機(jī)晶振電路中兩個(gè)電容（負(fù)載電容）的作用是把電能轉(zhuǎn)換成其他形式的能。如果沒(méi)這兩個(gè)電容的話，振蕩部分會(huì)因?yàn)闆](méi)有回路而停振。電路不能正常工作了。負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。
3、因?yàn)榫д裨诟哳l工作時(shí)有寄生電感，為了平衡電感，起到諧振的作用。所以要用兩個(gè)小電容來(lái)平衡電感。一般電容的選20pf--30pf的就可以了。具體的大小請(qǐng)參看晶振廠家提供的數(shù)據(jù)手冊(cè)。
4、晶振旁邊的電容有協(xié)助起振與穩(wěn)定振蕩的作用。一般頻率高的會(huì)用較低的電容、頻率低的會(huì)用較高的電容。電容過(guò)大會(huì)使信號(hào)衰減、并因吸收能量過(guò)大而抑制振湯。
5、兩個(gè)電容的取值都是相同的，或者說(shuō)相差不大，如果相差太大，容易造成諧振的不平衡，容易造成停振或者干脆不起振 。晶振負(fù)載電容值指的是晶振的交流電路中參與振蕩與晶振串聯(lián)或者并聯(lián)的負(fù)載電容值。
6、較高的頻率是并聯(lián)諧振。由于晶體自身的特性致使這兩個(gè)頻率的距離相當(dāng)?shù)慕咏?，在這個(gè)極窄的頻率范圍內(nèi)，晶振等效為一個(gè)電感，所以只要晶振的兩端并聯(lián)上合適的電容它就會(huì)組成并聯(lián)諧振電路。
晶振旁的電容有什么作用
單片機(jī)晶振電路中兩個(gè)電容（負(fù)載電容）的作用是把電能轉(zhuǎn)換成其他形式的能。如果沒(méi)這兩個(gè)電容的話，振蕩部分會(huì)因?yàn)闆](méi)有回路而停振。電路不能正常工作了。負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。
晶振旁邊接的兩個(gè)電容，作用是負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標(biāo)稱頻率相同的晶振，負(fù)載電容不一定相同。普通單片機(jī)的晶體振蕩器在并聯(lián)諧振狀態(tài)下工作，這也可以理解為諧振電容器的一部分。
叫負(fù)載電容。一般單片機(jī)的晶振工作于并聯(lián)諧振狀態(tài)，也可以理解為諧振電容的一部分。它是根據(jù)晶振廠家提供的晶振要求負(fù)載電容選值的，換句話說(shuō)，晶振的頻率就是在它提供的負(fù)載電容下測(cè)得的，能最大限度的保證頻率值的誤差。
有人說(shuō)是負(fù)載電容，是用來(lái)糾正晶體的振蕩頻率用的；有人說(shuō)是啟振電容；有人說(shuō)起諧振作用的。
晶振兩邊的電容要怎樣選
鉭電解電容。cd機(jī)晶振旁路電容選擇鉭電解較好，鉭電解電容體積小、容量大、壽命長(zhǎng)，適合于高精度電子元器件。
晶振兩邊的電容一般直接使用20-30pF的瓷片電容器即可。
負(fù)載電容。一般單片機(jī)的晶振工作于并聯(lián)諧振狀態(tài)，也可以理解為諧振電容的一部分。它是根據(jù)晶振廠家提供的晶振要求負(fù)載電容選值的，換句話說(shuō)，晶振的頻率就是在它提供的負(fù)載電容下測(cè)得的，能最大限度的保證頻率值的誤差。
晶振只能選擇相同頻率的，沒(méi)有其他選擇，電容的大小對(duì)頻率只有微調(diào)作用，無(wú)法改變晶振頻率。
下面是晶振的電容選擇方法，一定要仔細(xì)看哦：晶振電容選擇的幾大標(biāo)準(zhǔn) （1）：在容許范圍內(nèi)，C1，C2值越低越好。（2）C值偏大雖有利于振蕩器的安穩(wěn)，但將會(huì)增加起振時(shí)間。
-33pf都可以，一般用的是15P和30P，晶振大小影響不大，常用的4M和12M以及10592M和20M 24M都用的30P，單片機(jī)內(nèi)部有相應(yīng)的整形電路。
晶振的負(fù)載電容有什么作用?
單片機(jī)晶振電路中接在晶振旁的兩個(gè)電容叫負(fù)載電容，它的作用是負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標(biāo)稱頻率相同的晶振，負(fù)載電容不一定相同。
單片機(jī)晶振電路中兩個(gè)電容（負(fù)載電容）的作用是把電能轉(zhuǎn)換成其他形式的能。如果沒(méi)這兩個(gè)電容的話，振蕩部分會(huì)因?yàn)闆](méi)有回路而停振。電路不能正常工作了。負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。
晶振負(fù)載電容值指的是晶振的交流電路中參與振蕩與晶振串聯(lián)或者并聯(lián)的負(fù)載電容值。晶振的電路頻率主要是有晶振自身決定，既然負(fù)載電容參與電路振蕩，肯定會(huì)對(duì)頻率多少起到微調(diào)作用。負(fù)載電容值越小，振蕩電路就會(huì)反而越高。
到此，以上就是小編對(duì)于晶振在藍(lán)牙中的作用的問(wèn)題就介紹到這了，希望介紹的幾點(diǎn)解答對(duì)大家有用，有任何問(wèn)題和不懂的，歡迎各位老師在評(píng)論區(qū)討論，給我留言。
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